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segunda-feira, 10 de junho de 2013

SK Hynix anuncia memória RAM de 4 GB para dispositivos móveis



Companhia sul-coreana revelou hoje seus novos chips que poderão ser embarcados na próxima geração de tablets e smartphones high-end.

A companhia de TI sul-coreana SK Hynix anunciou hoje (10) que está atualmente trabalhando no desenvolvimento do módulo LPDDR3 (memória RAM de baixo consumo e voltada para dispositivos móveis) mais rápido do mundo.

Fabricados com arquitetura de 20 nanômetros (ainda menor do que os 30 nanômetros utilizados na geração atual de smartphones e tablets), os chips podem prover até 4 GB de RAM em dispositivos móveis high-end e é capaz de trabalhar com dados em uma velocidade de 2,133 Mbps. Tal velocidade ultrapassa os 1.600 Mbps dos módulos empregados atualmente em gadgets top de linha como o Galaxy S4, por exemplo.

De acordo com a SK Hynix, os novos módulos também consomem 10% menos energia do que os antigos LPDDR2. Protótipos já foram enviados para algumas manufaturadoras, mas a produção em massa dos chips só deve iniciar no final de 2013 – ou seja, ainda irá demorar um pouco até que possamos botar as mãos em um celular com 4 GB de RAM.
 
Fonte: SK Hynix




Por: Ramon de Souza / Chips de memória

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